Процес гістерезису
При ньому необоротно зміщуються доменні рубежі під впливом поля. Він означає наявність діелектричних втрат, обумовлених енергетичними витратами на розташування доменів.
Тут утворюється гістерезисна петля.
Її площа відповідає енергії, що витрачається в сегнетоэлектрике за один цикл. Із-за втрат в ньому формується тангенс кута 0,1.
При різних показниках амплітуди створюються гістерезисні петлі. Їх вершини в сукупності утворюють головну поляризаційну криву.
Вимірювальні операції
Діелектрична проникність сегнетоелектриків майже всіх класів відрізняється солідними значеннями навіть при показниках, віддалених від TK.
Її вимірювання відбувається так: на кристал наносяться два електрода. Визначається його ємність у змінному діапазоні.
Вище показників ТК проникність має певну термальну залежність. Це можна обчислити, спираючись на закон Кюрі-Вейса. Тут працює наступна формула:
e= 4pC / (Т-Тс).
У неї є постійною Кюрі. Нижче перехідних значень вона стрімко падає.
Буква «e» у формулі означає нелінійність, яка присутня тут у достатній вузькому спектрі з смещающимся напругою. З-за неї і гістерезису проникність і обсяг сегнетоэлектрика залежать від робочого режиму.
