Пристрій напівпровідникового лазера
Місце робочого середовища в таких апаратах займає напівпровідник, в основі якого полягають кристалічні елементи у вигляді домішок з атомами трьох – або пятивалентного хімікату (кремній, індій). За здібностями до питомої провідності цей лазер стоїть між діелектриками і повноцінними провідниками. Різниця в робочих якостях проходить за параметрами температурних величин, концентрації домішок і характером фізичного впливу на цільовий матеріал. Енергетичним джерелом накачування в даному випадку може виступати електроенергія, магнітне випромінювання або електронний пучок.
У пристрої оптичного квантового генератора на напівпровідниках часто використовується потужний світлодіод з твердотільного матеріалу, який може акумулювати великі запаси енергії. Інша справа, що робота в умовах підвищених електротехнічних і механічних навантажень швидко веде до зношування робочих елементів.
