Розпилення
Деякі з подій зіткнення призводять до того, що атоми викидаються з поверхні, і, таким чином, іонна імплантація буде повільно витравлювати поверхню. Ефект помітний тільки для дуже великих доз.
Іонний канал
Якщо до мішені прикладена кристалографічна структура, особливо в напівпровідникових підкладках, де вона більш відкрита, то конкретні напрями зупиняють набагато менше, ніж інші. Результатом є те, що радіус дії іона може бути набагато більше, якщо він рухається точно вздовж певного прямування, наприклад в кремнії та інших кубічних матеріалах алмазу. Цей ефект називається іонним каналированием, і, як і всі подібні ефекти, високою мірою нелінійні, з невеликими відхиленнями від ідеальної орієнтації, що призводять до значних відмінностей у глибині імплантації. З цієї причини велика частина виконується на кілька градусів поза осі, де крихітні помилки вирівнювання будуть мати більш передбачувані ефекти.
