Підсилювач на двох біполярних транзисторах
Щоб підвищити коефіцієнт підсилення, можна з’єднати два одиночних УНЧ на транзисторах в один. Тоді коефіцієнти підсилення цих пристроїв можна буде збільшити.
Хоча якщо продовжувати нарощувати кількість підсилювальних каскадів, то буде збільшуватися шанс самозбудження підсилювачів.
Підсилювач на польовому транзисторі
Підсилювачі низьких частот збирають і на польових транзисторах (далі ПТ). Схеми таких пристроїв ненабагато відрізняються від тих, що збираються на біполярних транзисторах.
В якості прикладу буде розглянутий підсилювач на польовому транзисторі з ізольованим затвором з n-каналом (МДП типу).
До підкладки даного транзистора послідовно підключається конденсатор, паралельно – дільник напруги. До витоку ПТ підключається резистор (можна також використовувати паралельне з’єднання конденсатора і резистора, як описано вище). До стоку підключається обмежувальний резистор і харчування, а між резистором і стоком створюється висновок на навантаження.
Вхідний сигнал до підсилювачів низької частоти на польових транзисторах подається на затвор. Здійснюється це також через конденсатор.
Як видно з пояснення, схема найпростішого підсилювача на польовому транзисторі нічим не відрізняється від схеми підсилювача низької частоти на біполярному транзисторі.
Правда, при роботі з ПТ варто враховувати такі особливості даних елементів:
Головний недолік польових транзисторів – висока чутливість до статичної електрики.
Багатьом знайома ситуація, коли, здавалося б, неструмопровідними речі б’ють людини струмом. Це і є прояв статичної електрики. Якщо такий імпульс подати на один з контактів польового транзистора, можна вивести елемент з ладу.
Таким чином, при роботі з ПТ краще не братися руками за контакти, щоб випадково не пошкодити елемент.
